[发明专利]一种监测F元素离子注入制程均一性与稳定性的方法有效
| 申请号： | 201210225788.7 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN102768967A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;龙吟;倪棋梁;王恺;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种监测F元素离子注入制程均一性与稳定性的方法，其中，包括以下步骤：提供一晶圆，将所述晶圆划分成多块晶粒区域；选定其中一个晶粒区域，在所述晶粒区域中注入一定剂量的F元素；在掺杂有F元素离子的所述晶粒区域表面沉积一层氧化物；对所述晶粒区域进行高温退火工艺，在所述氧化物表面产生凸起；对所述晶粒区域的所述凸起进行周长测量，计算所有所述凸起的周长之和；确定不同剂量的F元素，重复执行前述步骤，建立周长-F元素注入剂量之间的关系数据库系统。有效监控F元素离子注入制程，为提高器件性能与良率提供保障；并有效降低晶圆的损害或者提高回收利用率，节省成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监测 元素 离子 注入 均一 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种监测F元素离子注入制程均一性与稳定性的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一晶圆，将所述晶圆划分成多块晶粒区域；S2：在所述晶粒区域中注入一定剂量的F元素；S3：在掺杂有F元素离子的所述晶粒区域表面沉积一层氧化物；S4：对所述晶粒区域进行高温退火工艺，在所述氧化物表面产生凸起；S5：对所述晶粒区域的所述凸起进行周长测量，计算所有所述凸起的周长之和；S6：确定不同剂量的F元素，重复执行步骤S1‑S5，建立周长‑F元素注入剂量之间的关系数据库系统。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210225788.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种治疗脓疱疮的油剂药物
- 下一篇：一种数字化无模砂型挤压成形方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
