[发明专利]一种修补去层次样品的方法无效
| 申请号： | 201210225798.0 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN102768944A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 黄维 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体集成电路的失效分析领域，尤其涉及一种修补去层次样品的方法。本发明提出一种修补去层次样品的方法，在去层次工艺时出现错层的半导体结构上覆盖机械强度达到研磨工艺要求的介质层，并部分去除介质层至金属层，去除暴露金属层后再继续去层次工艺，如此循环重复，直至目标区域完整的处于同一目标层，以便于后续的失效分析工艺的进行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 修补 层次 样品 方法 | ||
【主权项】：
一种修补去层次样品的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一去层次出现层错的半导体结构上，制备一机械强度达到研磨工艺要求的介质层覆盖所述半导体结构的上表面；步骤S2：部分去除所述介质层，使得覆盖在目标层上的金属层暴露；步骤S3：去除所述暴露的金属层后继续去除所述介质层工艺；步骤S4：依次重复步骤S2、S3直至目标区域中的目标层完整无损的暴露。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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