[发明专利]负极活性材料及其制备方法、非水电解质二次电池单元和电池组有效
| 申请号： | 201210226105.X | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103022438A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 森田朋和;高见则雄;久保木贵志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/13;H01M10/42 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 苗征;于辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施方案，用于非水电解质二次电池单元的负极活性材料包括复合体。所述复合体包括碳质材料、分散在所述碳质材料中的硅氧化物和分散在硅氧化物中的硅。在所述复合体的粉末X射线衍射测试中，Si(220)面的衍射峰的半值宽度在1.5°-8.0°的范围内。硅氧化物相的平均尺寸在50nm-1000nm的范围内。(标准偏差)/(平均尺寸)之值等于或小于1.0，其中所述硅氧化物相的粒径分布的标准偏差定义为(d84%-d16%)/2。 | ||
| 搜索关键词： | 负极 活性 材料 及其 制备 方法 水电 二次 电池 单元 电池组 | ||
【主权项】：
用于非水电解质二次电池单元的负极活性材料，所述负极活性材料包含：复合体，其包括碳质材料、分散在所述碳质材料中的硅氧化物，和分散在硅氧化物中的硅，其中在所述复合体的粉末X‑射线衍射测试中，Si(220)面的衍射峰的半值宽度在1.5°‑8.0°的范围内，硅氧化物相的平均尺寸在50nm‑1000nm的范围内，并且(标准偏差)/(平均尺寸)之值等于或小于1.0，其中所述硅氧化物相的粒径分布的标准偏差定义为(d84%‑d16%)/2。
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