[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201210226591.5 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102751200A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 梁逸南 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法，所述制造方法包括：在基板上依次形成缓冲层和有源层，通过构图工艺形成有源区；依次形成栅绝缘层和栅极层，形成栅电极；形成Ni沉积窗口；形成介质层，形成与Ni沉积窗口一一对应的源漏接触孔；形成源漏金属层，形成源漏电极，所述源漏电极通过源漏接触孔和Ni沉积窗口与有源区相连接。利用本发明所述的方法制造薄膜晶体管，仅采用5次光刻过程，简化了工艺流程，降低生产成本，提高了良率。采用金属侧向诱导技术来实现多晶硅的晶化过程，利用多晶硅作为栅电极和有源层，能够降低阈值电压，减小泄漏电流，简化工艺流程，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：10、在基板上依次形成缓冲层和有源层，通过构图工艺形成有源区；30、依次形成栅绝缘层和栅极层，形成栅电极；50、形成Ni沉积窗口；70、形成介质层，形成与Ni沉积窗口一一对应的源漏接触孔；90、形成源漏金属层，形成源漏电极，所述源漏电极通过源漏接触孔和Ni沉积窗口与有源区相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
