[发明专利]一种InGaAs纳米异质结红外探测器线阵列及其制备方法

摘要

本发明提供一种InGaAs纳米异质结红外探测器线阵列及其制备方法，首先在衬底上制备上电极，依次生长有非晶砷化镓缓冲层，砷化镓纳米晶层、铟镓砷纳米晶层，然后制备下电极，形成InGaAs纳米异质结红外探测器线列阵，本发明红外光敏层为纳米晶材料，制备简单，并且可制备出高In组分的InGaAs薄膜，扩展探测范围，并且为非制冷红外探测器，工作于室温，体积小，重量轻，成本低。

主权项

一种InGaAs纳米异质结红外探测器线阵列，其特征在于：该红外探测器线阵列是由多个线形排列的单元器件组成的，所述单元器件包括衬底（1），在衬底（1）上制备的带状Au 膜下电极（2），在下电极（2）上依次生长的非晶GaAs缓冲层（3）、GaAs纳米晶层（4）和InGaAs纳米晶层（5），以及在InGaAs纳米晶层（5）上制备的圆环状Au 膜上电极（6）。