[发明专利]一种铜铟硒基薄膜太阳能电池钼电极的制备方法

摘要

一种铜铟硒基薄膜太阳能电池钼电极的制备方法，首先采用离子束清洗玻璃片表面，其工艺参数为：真空度2.0×10-2~5.0×10-2Pa，Ar气氛下，离子源加速电压；250V～350V，离子束流；50mA~60mA，电子束流为离子束流的1.5倍。然后采用直流磁控溅射工艺制备，其工艺参数为：Mo靶靶基距150mm，真空度0.1Pa～3Pa，溅射功率150w～400w。

主权项

一种铜铟硒基薄膜太阳能电池钼电极的制备方法，其特征在于，所述的制备方法首先采用离子束清洗玻璃片表面，随后用直流磁控溅射工艺制备钼Mo背电极，制备步骤如下；1）将玻璃片用王水（VHCl：VHNO3=3：1）浸泡15分钟，用去离子水冲洗干净，再先后分别在丙酮和酒精中超声波清洗5分钟，随后放入烘箱干燥后待用；2）将经步骤1）清洗后的玻璃片装卡在直流磁控溅射设备的样品台上，装好Mo靶材，先将Mo靶降到该设备的真空腔体底部，再根据所述的玻璃片的位置调整好清洗离子源的角度，关闭真空腔体，开始抽真空；3）待真空腔体的真空度优于8.5×10‑4Pa，打开Ar气，并打开清洗离子源进气阀，调节Ar气流量至真空度2.0×10‑2~5.0×10‑2Pa；4）打开清洗离子源，调节离子源加速电压为250V～350V，调节离子束流为50mA~60mA，电子束流为离子束流的1.5倍；打开样品台挡板，清洗玻璃片10分钟，清洗结束后关闭样品台挡板，在关闭离子源；5）将Mo靶靶基距调至150mm，将Ar气清洗进气口转换为溅射进气口，调整直流磁控溅射设备的流量计至真空度0.1Pa～3Pa，溅射功率150w～400w；待辉光稳定后，打开样品台挡板，沉积完成后关闭挡板，关闭溅射进气口，关闭真空系统。