[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210226910.2 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102856383B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 朴兴圭;金男奎;宋宇彬;郑秀珍;金永弼;李炳讃;李善佶 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括基板和在该基板上且彼此间隔开的第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域。沟道区域在该基板上且位于第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域之间。栅极电极位于沟道区域上。沟道区域是外延层，且第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域向沟道区域施加应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一压应力生成外延区域和第二压应力生成外延区域，通过选择性外延生长形成在所述基板上且在所述基板的所述第一区域中彼此间隔开；第一拉应力生成外延区域和第二拉应力生成外延区域，通过选择性外延生长形成在所述基板上且在所述基板的所述第二区域中彼此间隔开，其中形成所述第一压应力生成外延区域和所述第二压应力生成外延区域以及所述第一拉应力生成外延区域和所述第二拉应力生成外延区域的晶体均匀地沿一方向生长；第一沟道区域，在所述基板上且位于所述第一压应力生成外延区域和所述第二压应力生成外延区域之间，所述第一沟道区域是外延层，所述第一压应力生成外延区域和所述第二压应力生成外延区域向所述第一沟道区域施加压应力；第二沟道区域，在所述基板上且位于所述第一拉应力生成外延区域和所述第二拉应力生成外延区域之间，所述第二沟道区域是外延层，所述第一拉应力生成外延区域和所述第二拉应力生成外延区域向所述第二沟道区域施加拉应力；第一栅极电极，在所述第一沟道区域上，以及第二栅极电极，在所述第二沟道区域上，其中所述第一沟道区域的上表面高于所述第一压应力生成外延区域和所述第二压应力生成外延区域的上表面。
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