[发明专利]集成电路装置有效
| 申请号： | 201210227916.1 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN102867827A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 李东兴;徐哲祥;柯庆忠 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 于淼;杨颖 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种集成电路装置。集成电路装置包括：由绝缘区定义的扩散区，位于基材中；PMOS晶体管，其包括金属栅极、高介电常数介电层及源极/漏极区，所述金属栅极及所述高介电常数介电层设置于所述扩散区上，所述源极/漏极区在第一方向上将所述金属栅极夹于其间；多个虚置扩散区围绕所述扩散区设置，并与所述扩散区具有间隔；以及多个第一虚置图案，位于所述PMOS晶体管在第二方向上的两侧，且位于所述虚置扩散区及所述扩散区之间，其中所述第二方向垂直于所述第一方向。本发明所公开的集成电路装置，通过虚置图案的设置，能够使PMOS晶体管的金属栅极上没有凹蚀缺陷形成，使其AVt值具有显著的进步。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
一种集成电路装置，其特征在于，包括：由绝缘区定义的扩散区，位于基材中；PMOS晶体管，其包括金属栅极、高介电常数介电层及源极/漏极区，所述金属栅极及所述高介电常数介电层设置于所述扩散区上，所述源极/漏极区在第一方向上将所述金属栅极夹于其间；多个虚置扩散区围绕所述扩散区设置，并与所述扩散区具有间隔；以及多个第一虚置图案，位于所述PMOS晶体管在第二方向上的两侧，且位于所述虚置扩散区及所述扩散区之间，其中所述第二方向垂直于所述第一方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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