[发明专利]一种背面钝化双面太阳电池的生产方法无效
申请号: | 201210228102.X | 申请日: | 2012-07-04 |
公开(公告)号: | CN102800745A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 路忠林;李丽;许佳平;吴昕;王岚;盛雯婷;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 谭新民 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种背面钝化双面太阳电池的生产方法,实现本发明的步骤可依次为前清洗、制绒→扩散制PN结→周边和背面刻蚀→蒸镀正面SiNx减反膜→蒸镀背面钝化膜或/和SiNx[l1] 钝化膜或其他钝化膜→丝网印刷背电极→丝网印刷正电极→烧结。本发明的优点在于:可以大大降低背表面的复合速率,提高背反射,增加光生载流子的收集。与光刻、激光烧结、激光开口等工艺相比,工艺过程简单,适合批量生产。可有效增加实际工作发电效率。本发明使用的设备和传统的太阳电池设备相兼容,不需要增加设备,工艺成本较低,产能较大,具有非常好的产业前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 背面 钝化 双面 太阳电池 生产 方法 | ||
【主权项】:
一种背面钝化双面太阳电池的生产方法,其特征在于:包括如下步骤;步骤1:对硅片进行前清洗与制绒;前清洗以去除硅片表面的损伤层为准,同时在电池正表面制成绒面;步骤2:以上述硅片作为硅衬底淀积掺杂源并进行扩散制备p‑n结; 步骤3:后清洗,以去除背结、周边和磷硅玻璃为准;步骤4:在硅片的正面蒸镀减反膜;步骤5:在硅片的背面形成背面钝化层,背面钝化层采用硅化物作为钝化层或者采用与硅片处理工艺相兼容且和硅片表面形成良好的钝化特性的材料作为钝化层;步骤6:在硅片的背面采用局域丝网印刷方法形成栅线,然后烧结实现局铝背场,以实现栅线和硅片的良好接触为准,所述栅线包括轴线互相垂直且接触的背面主栅和细栅线,细栅线为高穿透性的银铝浆栅线;步骤7:采用常规的丝网印刷的方法,在电池正面制作正面电极;步骤8:烧结火退火以便形成良好的欧姆接触;步骤9:测试、分选。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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