[发明专利]一种用于大马士革工艺的空气间隔制作方法无效
| 申请号： | 201210228275.1 | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102768987A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 梁学文;陈玉文;胡友存;姬峰;李磊 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的一种用于大马士革工艺的空气间隔制作方法，包括以下步骤：在基体上淀积第一介电层，刻蚀第一介电层以形成第一沟槽图案，淀积第一隔离层；去除第一沟槽底部的第一隔离层；在第一介电层和第一隔离层上形成第一铜互连线；去除第一隔离层，形成第一空气间隔。本发明的方法简便易行，在铜互连线的侧壁形成空气间隔，可有效的改善铜互连RC延迟问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 大马士革 工艺 空气 间隔 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于大马士革工艺的空气间隔制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在基体上淀积第一介电层，刻蚀第一介电层以形成第一沟槽图案，淀积第一隔离层；步骤2，去除第一沟槽底部的第一隔离层；步骤3，在第一介电层和第一隔离层上形成第一铜互连线；步骤4，去除第一隔离层，形成第一空气间隔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
