[发明专利]一种岛动式单电子晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201210228473.8 | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN103531466A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 方靖岳;秦石乔;张学骜;秦华;王飞;王广;陈卫;罗威;邵铮铮;贾红辉;常胜利 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/334 | 分类号： | H01L21/334;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 魏国先 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备岛动式单电子晶体管的方法，该方法以硅基片、源极、漏极、栅极、岛区和库仑岛为单电子晶体管基本结构，源极、漏极、栅极集成设置在硅基片表面形成的二氧化硅衬底上，在源极、漏极、栅极之间围成的区域中刻蚀出岛区，库仑岛组装于岛区中并可在岛区中活动。岛区利用聚焦离子束刻蚀或者反应离子刻蚀来制备，库仑岛在电场作用下可以在岛区活动，电极与库仑岛之间隧穿势垒随着电场的变化而有所改变；库仑岛利用胶体Au制备技术来制备，其尺寸具有可控性。该器件最终将表现出场发射和库伦阻塞的综合效应。本发明方法能精确控制库仑岛的大小和库仑岛的组装定位，回避了势垒层需要精确控制的问题，显著降低了单电子晶体管制备难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 岛动式单 电子 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种岛动式单电子晶体管的制备方法，其特征在于，以硅基片、源极、漏极、栅极、岛区和库仑岛为基本结构，将源极、漏极、栅极集成设置在硅基片表面形成的二氧化硅衬底上，在源极、漏极、栅极之间围成的区域中刻蚀出作为库仑岛活动区域的岛区，将库仑岛组装于岛区中。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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