[发明专利]双镶嵌结构的制作方法在审
| 申请号： | 201210228957.2 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103531528A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 李常孝;陈信宇;赖育聪;廖俊雄;蔡世群 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制作双镶嵌结构的方法，包括下列步骤。首先，依序形成一介电层、一介电掩模层与一金属掩模层于一基底上。随后，形成多个沟槽开口于金属掩模层中，且部分金属掩模层暴露于沟槽开口的底部。接着，形成多个介层洞开口于介电掩模层中，且部分介电掩模层暴露于介层洞开口的底部。然后，转移沟槽开口以及介层洞开口至介电层中，以形成多个双镶嵌开口。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种制作双镶嵌结构的方法，包括：依序形成介电层、介电掩模层与金属掩模层于基底上；形成多个沟槽开口于该金属掩模层中，且部分该金属掩模层暴露于各该多个沟槽开口的底部；形成多个介层洞开口于该介电掩模层中，且部分该介电掩模层暴露于各该多个介层洞开口的底部；以及转移该多个沟槽开口以及该多个介层洞开口至该介电层中，以形成多个双镶嵌开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
