[发明专利]磁阻元件和使用磁阻元件的磁传感器无效

专利信息
申请号: 201210228989.2 申请日: 2012-07-02
公开(公告)号: CN102867909A 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 张振洪 申请(专利权)人: 山梨日本电气株式会社
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L27/22;G01R33/09
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吕雁葭
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 为了减小MR元件的功耗,磁阻元件包括衬底和在衬底上设置的磁阻膜。所述磁阻膜具有这样的形状,即把按照Z字型弯曲的直线进一步弯曲成多个Z字型。所述直线形成多个结构部分。所述结构部分具有其中将彼此平行的多个矩形按照Z字型串联连接的形式,并且所述结构部分按照Z字型彼此串联连接。
搜索关键词: 磁阻 元件 使用 传感器
【主权项】:
一种磁阻元件,包括衬底和在衬底上设置的磁阻膜,其中所述磁阻膜具有这样的形状,即把按照Z字形弯曲的直线进一步弯曲成多个Z字形。
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