[发明专利]半导体装置用氧化铝锆烧结基板及其制造方法无效
| 申请号： | 201210229061.6 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102850043A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 高桥光隆;松本理 | 申请（专利权）人： | 株式会社MARUWA |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有高导热特性和高强度特性的半导体装置用氧化铝锆(alumina zirconia)烧结基板，以及可有利地制造上述基板的方法。上述烧结基板通过烧结未添加烧结助剂的原料组合物而得到，由2～15重量％ZrO2、0.01～1重量％Y2O3及余量的Al2O3构成，Al2O3的平均晶体粒径大于2μm在7μm以下，并且Al2O3晶界长度为晶界总长度的60％以上，具有导热系数在30W/m·K以上且弯曲强度在500MPa以上的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 氧化铝 烧结 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置用氧化铝锆烧结基板，其特征在于，所述半导体装置用氧化铝锆烧结基板由烧结体构成，所述烧结体通过将由Al2O3粉末、ZrO2粉末和Y2O3粉末的混合物、或Al2O3粉末和ZrO2‑Y2O3粉末的混合物构成的且未添加烧结助剂的原料组合物烧结而获得，由2～15重量％ZrO2、0.01～1重量％Y2O3及余量的Al2O3构成，具有以下特性：Al2O3的平均晶体粒径为大于2μm至7μm以下，并且Al2O3颗粒彼此直接接触的晶界长度为晶界总长度的60％以上，导热系数在30W/mK以上，且弯曲强度在500MPa以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社MARUWA，未经株式会社MARUWA许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210229061.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：移动通信系统中联合负载均衡的切换自优化方法
- 下一篇：高压放电灯
