[发明专利]形成半导体功率开关器件的方法及其结构

摘要

本发明涉及形成半导体功率开关器件的方法及其结构。至少一个示例性实施方案涉及包括ctrl开关、sync开关的半导体功率开关器件，其中电阻器电气连接在所述ctrl开关与所述sync开关之间。 1

主权项

1.一种半导体功率开关器件，其包括：

ctrl开关，其中所述ctrl开关为具有控制屏蔽板和控制栅极的分裂栅极屏蔽栅极晶体管；

sync开关，其中所述sync开关为晶体管，所述sync开关具有与串联连接的第一电阻器和第一电感器耦接的源极，所述第一电阻器和第一电感器耦接于地；

第二电感器；以及

与所述第二电感器串联连接的第二电阻器，其中串联连接的第二电感器和第二电阻器将所述ctrl开关的所述控制屏蔽板与所述sync开关的所述源极连接，其中所述sync开关的所述源极在公共节点处连接至所述串联连接的第二电感器和第二电阻器，并且所述串联连接的第二电感器和第二电阻器从所述公共节点通过所述串联连接的第一电阻器和第一电感器而连接于地。

2.根据权利要求1所述的开关器件，其中所述sync开关为第二屏蔽栅极晶体管。

3.根据权利要求1所述的开关器件，其中所述电阻器为外部电阻器、固有分布屏蔽板电阻、现有屏蔽板盘曲型电阻器、沟槽电阻器、多晶硅电阻器、扩散电阻器或金属电阻器中的至少一种。

4.根据权利要求2所述的开关器件，其中所述电阻器为外部电阻器、固有分布屏蔽板电阻、现有屏蔽板盘曲型电阻器、沟槽电阻器、多晶硅电阻器或金属电阻器中的至少一种。

5.根据权利要求3所述的开关器件，其中所述电阻器大于100欧姆。

6.根据权利要求4所述的开关器件，其中所述电阻器大于100欧姆。

7.根据权利要求3所述的开关器件，其中所述电阻器具有80欧姆与1000欧姆之间的值。

8.根据权利要求6所述的开关器件，其中所述电阻器具有80欧姆与1000欧姆之间的值。

9.根据权利要求1所述的开关器件，其中所述ctrl开关的所述控制屏蔽板耦接至所述sync开关上的第二板。

10.根据权利要求9所述的开关器件，其中所述第二板为所述sync开关中的sync屏蔽板。

11.根据权利要求1所述的开关器件，其中所述电感器具有0.01nH与500nH之间的值。

12.根据权利要求1所述的开关器件，其中所述ctrl开关为MOSFET。

13.根据权利要求10所述的开关器件，其中所述sync开关为MOSFET。

14.一种形成功率开关器件的方法，其包括：

以ctrl开关和包括源极的sync开关构造电压控制器件，其中所述ctrl开关具有ctrl屏蔽板；和

将电阻器的第一端子直接耦接到所述ctrl屏蔽板，并且将电阻器的第二端子直接耦接到所述sync开关的源极，其中所述开关器件不具有将所述ctrl屏蔽板耦接到所述ctrl开关的漏极的另一电阻器。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述ctrl开关为屏蔽栅极晶体管。

16.根据权利要求14所述的方法，还包括：

耦接具有80欧姆至1000欧姆的所述电阻器。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述sync开关为屏蔽栅极晶体管。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述sync开关具有sync屏蔽板，其中ctrl屏蔽板耦接至所述sync屏蔽板。

19.一种功率转换器，其包括：

ctrl开关，其中所述ctrl开关为MOSFET，其中所述ctrl开关包括ctrl屏蔽板；

sync开关，其中所述sync开关为MOSFET，其中所述sync开关包括sync屏蔽板；和

电阻器，其第一端子直接连接到所述ctrl屏蔽板或所述sync屏蔽板之中的一个，所述电阻器的第二端子直接连接到电感器的第一端子，并且所述电感器的第二端子直接连接到所述ctrl屏蔽板或所述sync屏蔽板之中的相反的一个，其中所述sync屏蔽板耦接至sync开关的源极，并且其中所述电阻器具有0.1毫欧姆与100千欧姆之间的值，其中所述ctrl开关不具有将所述ctrl屏蔽板耦接到所述ctrl开关的漏极或耦接到偏电压源的另一电阻器。