[发明专利]控制半导体晶圆制造工艺的系统和方法有效

专利信息
申请号: 201210229433.5 申请日: 2012-07-03
公开(公告)号: CN103311145B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: 陈世宏;萧颖;林进祥 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/67
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 控制半导体晶圆制造工艺的系统和方法。该方法包括在晶圆加工模块中在晶圆加工组件上设置半导体晶圆。从以相对于与晶圆支撑组件垂直的轴的预定发射角设置的信号发射器发射信号以检查模块中晶圆的平整度,以使从晶圆反射信号。实施例包括在信号接收器以相对于与晶圆支撑组件垂直的轴的预定反射角监控反射信号。如果在信号接收器处没有接收到反射信号则生成报警指示。
搜索关键词: 控制 半导体 制造 工艺 系统 方法
【主权项】:
一种控制半导体晶圆制造工艺的方法,包括:在晶圆加工模块中的晶圆支撑组件上设置半导体晶圆;以相对于与所述晶圆支撑组件垂直的轴来确定预定反射角,沿着所述半导体晶圆的顶面的中心偏移预定距离来确定预期反射点;沿着所述晶圆加工模块的第一侧壁在与所述晶圆支撑组件的表面为第一距离的第一位置处并且在所述预期反射点以相对于所述晶圆支撑组件垂直的轴的预定发射角来设置信号发射器;沿着所述晶圆加工模块的与所述第一侧壁相对的第二侧壁在与所述晶圆支撑组件的表面为第二距离的第二位置处设置信号接收器,其中,所述第一距离不同于所述第二距离,并且,所述第一距离和所述第二距离均基于所述预定反射角、所述预定发射角以及所述预期反射点来确定;从所述信号发射器向所述预期反射点发射信号,以检查所述模块中的所述晶圆的平整度,以便从所述晶圆反射所述信号;在所述信号接收器处接收所反射的信号;测定所接收信号相对于所述晶圆的反射角;将所测定的反射角与所述预定反射角进行比较;以及如果比较指示所述晶圆的平整度是未对准的,则生成报警指示。
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