[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201210229641.5 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102856309A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 宇野友彰;女屋佳隆;加藤浩一;工藤良太郎;七种耕治;船津胜彦 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/522;H02M3/155 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;孟祥海 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高半导体器件可靠性的方法。在一个半导体芯片(CPH)内形成有开关用功率MOSFET、以及用于侦测流经所述功率MOSFET的电流且面积比所述功率MOSFET小的感应MOSFET，而且，所述半导体芯片(CPH)经由导电性接合材料搭载于芯片搭载部上，且被树脂封装。其中，在半导体芯片(CPH)的主表面上，形成有感应MOSFET的感应MOSFET区域(RG2)位于感应MOSFET的源极用焊盘(PDHS4)的内侧。而且，在半导体芯片(CPH)的主表面上，感应MOSFET区域(RG2)由形成有功率MOSFET的区域所包围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一芯片搭载部，所述第一芯片搭载部具有导电性；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有第一主表面和处于所述第一主表面相反一侧的第一背面，所述第一背面经由导电性接合材料与所述第一芯片搭载部接合；以及封装部，所述封装部对所述第一半导体芯片及所述第一芯片搭载部的至少一部分进行封装，该半导体器件的特征在于，在所述第一半导体芯片上形成有漏极彼此电连接且栅极彼此电连接的第一MOSFET及第二MOSFET，所述第一MOSFET形成于所述第一半导体芯片的所述第一主表面的第一区域上，所述第二MOSFET形成于所述第一半导体芯片的所述第一主表面的第二区域上，并且所述第二MOSFET是用于检测流经所述第一MOSFET的电流的元件，与所述第一MOSFET、所述第二MOSFET的栅极电连接的第一栅极焊盘、与所述第一MOSFET的源极电连接的第一源极焊盘、以及与所述第二MOSFET的源极电连接的第二源极焊盘形成于所述第一半导体芯片的所述第一主表面上，与所述第一MOSFET、所述第二MOSFET的漏极电连接的漏极电极形成于所述第一半导体芯片的所述第一背面上，在所述第一半导体芯片的所述第一主表面上，所述第二区域的面积比第一区域小，且所述第二区域位于所述第二源极焊盘的内侧。
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