[发明专利]天竺葵栽培技术

摘要

本发明涉及一种天竺葵栽培技术，其采用优质天竺葵种子，经育苗、植株移植上盆，幼苗生长管理、病虫害防治、植株疏剪、环境温度控制，盆花展示等环节，从而培育出一年四季可开花的且花球圆大、花色艳丽的天竺葵盆花，既能满足都市人们四时观赏天竺葵花的需要，又开辟出一条无环境污染的绿色环保生态农业发展之路，具有很好的社会和经济效益。

主权项

一种天竺葵栽培方法，包括以下步骤：1)、育苗(1)、育苗分四个阶段：A、从播种至胚根出现阶段温度控制在21～24℃，时间3～5天；B、胚根出现至长出一片叶阶段温度控制在20～25℃，时间5～10天，每周施氮磷钾复合肥1～2次；C、叶片生长至四叶一芯阶段温度控制在18～21℃，时间14～21天，每周施氮磷钾复合肥2～3次；D、幼苗生长阶段温度控制在17～18℃，时间5～10天，每周施氮磷钾复合肥2～3次，此阶段幼苗处于待移植状态；(2)、调酸及浇水育苗期间水和基质均呈弱酸性，所浇水的PH值为5.5～6.5之间，育苗基质PH值为6.2～6.5之间，在二次浇水中间保持基质处于干燥状态；(3)、防幼苗陡长育苗期间要防止幼苗陡长，保持足够的光照度，光照时间达16～18小时/每天，时间为25～30天；(4)、预防病虫害幼苗长出叶片后，每周喷用水稀释的农药2～3次，以喷杀病虫害及防猝倒病；2)、栽培(1)、幼苗移植上盆A、花盆基质花盆基质为草灰、膨胀珍珠岩、沙和陶粒的混合物，或者为草炭和园土的混合物；B、上盆将幼苗移植入装有花盆基质的花盆中，幼苗定植后浇施用水稀释的农药定根，预防根腐病；(2)、施肥幼苗定植一周后施氮磷钾复合水肥，7～10天施一次，幼苗生长过程施以含钾钙磷为主的复合肥；(3)、浇水生长过程中花盆基质保持适当润湿状态，在施肥、浇水过程中避免叶片沾染肥水，施肥后要用清水洗净叶面并抹干；(4)、修剪在生长过程中要对植株进行修剪，定期疏剪通风，每盆保持匀称主株3～5棵，然后再将主株及侧枝截短，使整个植株枝分布均匀、紧凑、株形丰满、矮壮；(5)、温度控制生长温度控制在13～19℃，在秋、冬季节栽培时，温度不能低于5℃；(6)光照天竺葵喜阳光充足、温暖和通风良好的环境下生长，光照时间达15～20小时/天，春天和初夏时节宜放在光照充足的地方，盛夏及初秋炎热天气，宜放在荫凉地方；(7)、预防烂根病天竺葵在春季生长过程中容易烂根，其为水份过多或花盆积水所致，预防的措施是剪除烂根部分，伤口用草木灰或硫磺粉涂抹，然后用新基质培上，1～2天后浇水一次，以后每天傍晚叶面喷水一次，待伤口处生根复原后再换盆移植；(3)、天竺葵花布展天竺葵开出绣球般花朵后便可进行布展，将天竺葵盆花集中悬吊在室内离地面高3～6米高的空间或将天竺葵盆花摆设在花坛上，以便空中或地面观赏。