[发明专利]双极高电子迁移率晶体管及其形成方法

摘要

一种外延层结构，包括场效应晶体管结构和异质结双极晶体管结构。异质结双极晶体管结构包含与场效应晶体管结构组合形成的n掺杂次集电极和集电极，其中次集电极或集电极中至少一部分包含Sn、Te或Se。在一个实施方式中，基极形成在集电极上方；以及发射极形成在基极上方。双极晶体管和场效应晶体管每个独立地包含III-V半导体材料。

主权项

一种外延层结构，包括：(a)场效应晶体管结构，其包括接触层；以及(b)形成在所述场效应晶体管结构上方的异质结双极晶体管结构，其中所述异质结双极晶体管结构包含i)形成在所述场效应晶体管结构的接触层上方的n掺杂次集电极ii)所述次集电极上方的集电极，其中次集电极和集电极中的至少一个每个独立地包括由锡Sn、碲Te和硒Se组成的组中的至少一个成员；iii)在所述集电极上方的基极，以及iv)在所述基极上方的发射极；其中所述异质结双极晶体管结构的集电极和次集电极中至少一个，以及所述场效应晶体管结构的接触层，每个独立地包含III‑V半导体材料。