[发明专利]核壳式纳米线阵列拉曼散射增强基底制备方法无效

专利信息
申请号: 201210230240.1 申请日: 2012-07-05
公开(公告)号: CN102774807A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 陈娜;陈振宜;李联鑫;刘书朋;王廷云 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 何文欣
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种核壳式纳米线阵列拉曼增强基底的制备方法。该方法是将清洗后的铝片进行两次阳极氧化得到多孔阳极氧化铝(AAO)模板,再以该模板为阴极,在金属盐溶液中进行交流电沉积,沉积结束后,取沉积后模板,用去离子水清洗干净,然后再使用碱溶液去除AAO模板,制备出具有厚厚基底的纳米线阵列,之后在上述获得的阵列纳米线表面光化学沉积另外一种金属溶液,通过控制该金属溶液的浓度从而得到不同厚度的核壳式纳米线阵列,用该法制得的核壳式纳米线阵列的特点是纳米线阵列中的纳米线表面上制备有纳米颗粒,能够作为基底增强激光拉曼散射,构成核壳式纳米阵列拉曼散射增强基底。本发明制备的核壳式纳米线阵列不会破坏检测物质,增强效果大大高于单纯的纳米线,可获得较强的拉曼光谱。
搜索关键词: 核壳式 纳米 阵列 散射 增强 基底 制备 方法
【主权项】:
一种核壳式纳米线阵列拉曼增强基底的制备方法:将清洗后的铝片进行两次阳极氧化得到多孔阳极氧化铝(AAO)模板,再以该模板为阴极,在金属盐溶液中进行交流电沉积,沉积结束后,取沉积后模板,用去离子水清洗干净,然后再使用碱溶液去除AAO模板,制备出具有厚厚基底的纳米线阵列,之后在上述获得的阵列纳米线表面光化学沉积另外一种金属溶液,通过控制该金属溶液的浓度从而得到不同厚度的核壳式纳米线阵列,用该法制得的核壳式纳米线阵列的特点是纳米线阵列中的纳米线表面上制备有纳米颗粒,能够作为基底增强激光拉曼散射,构成核壳式纳米阵列拉曼散射增强基底。
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