[发明专利]基于分子印迹的电化学传感器、其制备方法和用途有效

专利信息
申请号: 201210230339.1 申请日: 2012-07-05
公开(公告)号: CN102721727A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 吴丹;魏琴;李贺;杜斌;张勇;马洪敏;李燕;辛强 申请(专利权)人: 济南大学
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26;G01N27/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 250022 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种基于分子印迹的电化学传感器、其制备方法和用途。所述基于分子印迹的电化学传感器包含工作电极、参比电极和对电极,其中,所述工作电极的基底电极为金电极,其表面修饰磺酸化石墨烯,晾干后在含有邻苯二胺和多巴胺的酸性缓冲溶液中聚合直至邻苯二胺的氧化峰电流下降为零,然后在硫酸介质中洗脱多巴胺,所述参比电极和对电极分别为饱和甘汞电极和铂丝电极。在最佳条件下,通过合适的洗脱方法制备出具有分子识别性能的分子印迹传感器,进而实现了多巴胺的快速分析检测。本发明基于分子印迹的电化学传感器对印迹分子具有快速响应、选择性好、灵敏度高等优点,达到了分子识别的目的,实现了抗坏血酸在较高浓度存在时对多巴胺的检测。
搜索关键词: 基于 分子 印迹 电化学传感器 制备 方法 用途
【主权项】:
一种基于分子印迹的电化学传感器,所述电化学传感器包含工作电极、参比电极和对电极,其中,所述工作电极的基底电极为金电极,其表面修饰磺酸化石墨烯,晾干后在含有邻苯二胺和多巴胺的酸性缓冲溶液中聚合直至邻苯二胺的氧化峰电流下降为零,然后在硫酸介质中洗脱多巴胺分子,所述参比电极为饱和甘汞电极,所述对电极为铂丝电极。
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