[发明专利]高压器件及其制造方法

摘要

提出了一种高压晶体管器件及形成高压晶体管器件的方法。根据本发明实施例的高压晶体管器件包括耦接于漏区和源区之间的螺旋阻性场板，以及多个第一场板，位于螺旋阻性场板上方并通过第一介电层与之隔离，其中所述多个第一场板相互隔离，其中的起始第一场板与高压晶体管器件的源电极连接，并且每一个第一场板均覆盖所述螺旋阻性场板中的一段或多段。根据本发明实施例的高压晶体管器件不仅具有较高的稳态击穿电压和较低的导通电阻，而且具有较高的动态击穿电压。

主权项

一种高压晶体管器件，包括：半导体层，具有第一导电类型；源区，具有与该第一导电类型相反的第二导电类型，该源区形成于所述半导体层中；漏区，具有所述的第二导电类型，该漏区形成于所述半导体层中，与所述源区相分离；第一隔离层，位于源区和漏区之间的所述半导体层上；第一阱区，具有所述的第二导电类型，形成于所述漏区的外围，向所述源区延伸，但与所述源区相分离；栅区，位于靠近源区一侧的所述第一隔离层上；螺旋阻性场板，位于漏区和栅区之间的所述第一隔离层上，具有第一端和第二端；第一电介层，覆盖所述源区、漏区、第一隔离层、栅区及螺旋阻性场板；源电极，耦接所述源区和所述阻性场板的第一端；漏电极，耦接所述漏区和所述阻性场板的第二端；以及多个第一场板，围绕所述源电极排列于所述第一电介层上，从源电极开始，朝漏电极的方向延伸，其中，所述多个第一场板相互隔离，其中的起始第一场板与所述源电极连接，并且所述多个第一场板中的每一个均覆盖所述螺旋阻性场板中的一段或多段。