[发明专利]一种基于MOSFET的功率驱动电路无效
申请号: | 201210231009.4 | 申请日: | 2012-07-04 |
公开(公告)号: | CN103532357A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 李旭东;郑再平;黄玉平;王春明;姜丽婷 | 申请(专利权)人: | 北京精密机电控制设备研究所;中国运载火箭技术研究院 |
主分类号: | H02M1/092 | 分类号: | H02M1/092 |
代理公司: | 核工业专利中心 11007 | 代理人: | 高尚梅 |
地址: | 100076*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及机电伺服系统电机驱动技术领域,具体公开了一种基于MOSFET的功率驱动电路。该驱动电路包括光耦合隔离电路、驱动芯片、图腾柱输出电路以及MOSFET管,其中,光耦合隔离电路的输入端接入PWM信号,光耦合隔离电路的输出端与驱动芯片的输入端相连接,驱动芯片的两个输出端分别通过两个镜像对称的图腾柱输出电路连接至相关并联的MOSFET管B和MOSFET管A的栅极,使MOSFET管B和MOSFET管A同时开关。本发明所述的一种基于MOSFET的功率驱动电路使MOSFET在大功率领域的应用成为现实,打破了IGBT在该领域的垄断地位,利用该功率驱动电路,可实现伺服驱动器的小型化、轻质化和低功耗化。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 mosfet 功率 驱动 电路 | ||
【主权项】:
一种基于MOSFET的功率驱动电路,其特征在于:该驱动电路包括光耦合隔离电路(1)、驱动芯片(2)、图腾柱输出电路以及MOSFET管,其中,光耦合隔离电路(1)的输入端接入PWM信号,光耦合隔离电路(1)的输出端与驱动芯片(2)的输入端相连接,驱动芯片(2)的两个输出端分别通过两个镜像对称的图腾柱输出电路连接至相关并联的MOSFET管B(11)和MOSFET管A(10)的栅极,使MOSFET管B(11)和MOSFET管A(10)同时开关。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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