[发明专利]一种基于MOSFET的功率驱动电路无效

专利信息
申请号: 201210231009.4 申请日: 2012-07-04
公开(公告)号: CN103532357A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 李旭东;郑再平;黄玉平;王春明;姜丽婷 申请(专利权)人: 北京精密机电控制设备研究所;中国运载火箭技术研究院
主分类号: H02M1/092 分类号: H02M1/092
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 高尚梅
地址: 100076*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及机电伺服系统电机驱动技术领域,具体公开了一种基于MOSFET的功率驱动电路。该驱动电路包括光耦合隔离电路、驱动芯片、图腾柱输出电路以及MOSFET管,其中,光耦合隔离电路的输入端接入PWM信号,光耦合隔离电路的输出端与驱动芯片的输入端相连接,驱动芯片的两个输出端分别通过两个镜像对称的图腾柱输出电路连接至相关并联的MOSFET管B和MOSFET管A的栅极,使MOSFET管B和MOSFET管A同时开关。本发明所述的一种基于MOSFET的功率驱动电路使MOSFET在大功率领域的应用成为现实,打破了IGBT在该领域的垄断地位,利用该功率驱动电路,可实现伺服驱动器的小型化、轻质化和低功耗化。
搜索关键词: 一种 基于 mosfet 功率 驱动 电路
【主权项】:
一种基于MOSFET的功率驱动电路,其特征在于:该驱动电路包括光耦合隔离电路(1)、驱动芯片(2)、图腾柱输出电路以及MOSFET管,其中,光耦合隔离电路(1)的输入端接入PWM信号,光耦合隔离电路(1)的输出端与驱动芯片(2)的输入端相连接,驱动芯片(2)的两个输出端分别通过两个镜像对称的图腾柱输出电路连接至相关并联的MOSFET管B(11)和MOSFET管A(10)的栅极,使MOSFET管B(11)和MOSFET管A(10)同时开关。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京精密机电控制设备研究所;中国运载火箭技术研究院,未经北京精密机电控制设备研究所;中国运载火箭技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210231009.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top