[发明专利]在浮栅上形成稳定的残余氧化物的方法有效
| 申请号： | 201210231297.3 | 申请日： | 2012-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103531456A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 曹子贵;宁丹 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在浮栅上形成稳定的残余氧化物的方法，首先在浮栅上沉积偏移侧墙，其次对偏移侧墙102进行干法刻蚀，再对残余氧化物进行动态湿法刻蚀，使残余氧化物达到设定的目标厚度，最后对浮栅101进行多晶硅二次刻蚀。本发明能够控制残余氧化物的厚度，从而获得稳定的浮栅侧壁结构，进而得到稳定的浮栅擦除性能。 | ||
| 搜索关键词： | 浮栅上 形成 稳定 残余 氧化物 方法 | ||
【主权项】：
一种在浮栅上形成稳定的残余氧化物的方法，该方法包含以下步骤：步骤1、在浮栅（101）上沉积偏移侧墙（102）；步骤2、对偏移侧墙（102）进行干法刻蚀；步骤3、再对浮栅（101）进行多晶硅二次刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210231297.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于有机垃圾转化的废气处理设备
- 下一篇：机顶盒老化测试车及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
