[发明专利]低温离子镀膜装置无效

专利信息
申请号: 201210232408.2 申请日: 2012-07-06
公开(公告)号: CN102703868A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 陆世德 申请(专利权)人: 肇庆市同力真空科技有限公司;陆世德
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32
代理公司: 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 代理人: 李永庆
地址: 526020 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种低温离子镀膜装置,包括真空室、工件转架和蒸发源,工作转架和蒸发源均设置在真空室内,其中在真空室内还设有离子装置,该离子装置设在工件转架的中部或外部位置上,对应蒸发源设置在真空室的周边或中部位置上;本发明的镀膜装置不仅能够同时适应合金属和非金属材料的镀膜,而且离化效率高、大大改善了膜层的附着力及膜层的稳定性和均匀性。
搜索关键词: 低温 离子 镀膜 装置
【主权项】:
一种低温离子镀膜装置,包括真空室(1)、工件转架(2)和蒸发源(3),工作转架(2)和蒸发源(3)均设置在真空室(1)内,其特征在于:在真空室(1)内还设有离子装置(4),该离子装置(4)设置在工件转架(2)的中部位置,蒸发源(3)设置在真空室(1)内的周边位置上。
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