[发明专利]紫外线感测元件以及制作方法有效
申请号: | 201210233262.3 | 申请日: | 2012-07-06 |
公开(公告)号: | CN103531649A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 刘汉琦;潘焕堃;冈本英一 | 申请(专利权)人: | 原相科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/101;H01L31/18;H01L27/146 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 陈肖梅;谢丽娜 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种紫外线感测元件,可供使用于三晶体管影像感测电路中,其包括第一导电型基材、第二导电型掺杂区、以及高浓度第一导电型掺杂区。第一导电型基材具有受光面。第二导电型掺杂区设置于第一导电型基材内且邻接于受光面。高浓度第一导电型掺杂区,邻接于第二导电型掺杂区下方。本发明亦提供可使用于四晶体管影像感测电路中的另一种紫外线感测元件,其与连接三晶体管影像感测电路的紫外线感测元件相较,更增加高浓度第一导电型表面掺杂区,夹置于受光面与第二导电型掺杂区之间。此外,前述的紫外线感测元件的制作方法亦被提出。 | ||
搜索关键词: | 紫外线 元件 以及 制作方法 | ||
【主权项】:
一种紫外线感测元件,供使用于一影像感测电路中,其特征在于,该紫外线感测元件包括:一第一导电型基材,具有一受光面以供接收受感测光;一第二导电型掺杂区,设置于该第一导电型基材内且邻接于该受光面;以及一高浓度第一导电型掺杂区,邻接于该第二导电型掺杂区下方,由此,在该高浓度第一导电型掺杂区形成电位障碍而阻隔较长波段光线所感应产生的光电子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的