[发明专利]二次电池及其制造方法在审
申请号: | 201210233305.8 | 申请日: | 2012-07-06 |
公开(公告)号: | CN102867939A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 金俊植;李劭罗;金性洙;宋洙安;申政淳 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01M4/13 | 分类号: | H01M4/13;H01M4/62;H01M4/139 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种二次电池及其制造方法,所述二次电池包括:基体材料;中间层,包括碳材料且位于所述基体材料上;以及活性材料层,位于所述中间层上。包括中间层的二次电池可以改善基体材料和活性材料层之间的粘附力,由此降低活性材料与基体材料分离的风险并改善二次电池的可靠性和寿命。 | ||
搜索关键词: | 二次 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种二次电池,所述二次电池包括:基体材料;中间层,包括碳材料且位于所述基体材料上;以及活性材料层,位于所述中间层上。
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