[发明专利]一种垂直氮化镓发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210235037.3 | 申请日： | 2012-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102751409A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 潘群峰 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直氮化镓基发光二极管，采用氧化镓作为垂直结构氮化镓基发光二极管的电流阻挡层。其结构包括：导电基板；发光外延层，位于所述导电基板之上；银反射层，位于所述导电基板与所述发光外延层之间；氧化镓层，位于所述银反射层与所述发光外延层之间，用于改变电流注入分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 氮化 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种垂直氮化镓基发光二极管，包括：一导电基板；一发光外延层，位于所述导电基板之上；一银反射层，位于所述导电基板与所述发光外延层之间；一氧化镓层，位于所述银反射层与所述发光外延层之间，用于改变电流注入所述发光外延层的分布。
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