[发明专利]电子器件和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210235274.X | 申请日： | 2012-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102867914B | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 胜原真央 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L51/10 | 分类号： | H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人： | 陈桂香,褚海英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及电子器件和半导体器件的制造方法。所述电子器件至少包含第一电极；第二电极，其被设置成与所述第一电极间隔开；和活性层，其被设置在所述第一电极上方至所述第二电极上方并且由有机半导体材料形成。电荷注入层形成在所述第一电极和所述活性层之间以及所述第二电极和所述活性层之间，并且所述电荷注入层由通过被氧化而电传导率的值增加了的有机材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电子器件，所述电子器件至少包含：第一电极；第二电极，其被设置成与所述第一电极间隔开；和活性层，其被设置在所述第一电极上方至所述第二电极上方并且由有机半导体材料形成，其中，电荷注入层形成在所述第一电极和所述活性层之间以及所述第二电极和所述活性层之间，并且所述电荷注入层由有机材料的氧化物形成，所述有机材料的氧化物的电传导率比所述有机材料的高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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