[发明专利]MEMS结构的牺牲层湿法腐蚀方法及MEMS结构有效
| 申请号： | 201210236844.7 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103539064A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 苏佳乐 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张懿;王忠忠 |
| 地址： | 214028 无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种微机电系统（MEMS）结构的牺牲层湿法腐蚀方法。根据所述方法，在所述牺牲层表面施加增黏剂并且通过调整所述增黏剂的量来改变牺牲层与光刻胶之间的黏附性，进而以湿法腐蚀得到所需腐蚀形貌的牺牲层。本发明还提供了用所述方法得到的MEMS结构。采用本发明所提供的方法，可以灵活地控制通过湿法腐蚀制作MEMS牺牲层时所得到的腐蚀形貌，尤其是得到直线斜坡形的腐蚀形貌，从而使MEMS结构中的后续层有良好的覆盖性。 | ||
| 搜索关键词： | mems 结构 牺牲 湿法 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种微机电系统（MEMS）结构的牺牲层湿法腐蚀方法，其特征在于，在所述牺牲层表面施加增黏剂并且通过调整所述增黏剂的量来改变牺牲层与光刻胶之间的黏附性，进而以湿法腐蚀得到所需腐蚀形貌的牺牲层。
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