[发明专利]一种多点接触模式下的大面积硅表面织构化加工方法有效
| 申请号： | 201210237442.9 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN102730631A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 钱林茂;吴治江;余丙军;郭剑;宋晨飞;周仲荣 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种多点接触模式下的大面积硅表面织构化加工方法，它将硅(100)单晶片置于多微球的多点接触板垂直下方位置，再使硅片与多点接触板两者垂直相对运动至发生接触，并达到一定接触载荷F；使多点接触板和硅片按照既定轨迹相对运动，进行刻划；刻划后，将硅片放入质量分数为15～25％的KOH溶液中腐蚀一段分钟，即可得到具有预先设定结构的对应的织构化结构该方法在多点接触模式下进行，可以方便地控制所加工织构化结构的图案、排列方式等；刻划过程中硅片与多点接触板始终保持平行状态。该方法的设备和原材料成本低，操作简便、步骤简单，能够一次性完成硅(100)单晶片的大面积织构化结构的加工，具有明显的低成本、高效率的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多点 接触 模式 大面积 表面 织构化 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种多点接触模式下的大面积硅表面织构化加工方法，其步骤是：(1)将硅(100)单晶片置于多点接触板垂直下方位置，再使硅(100)单晶片与多点接触板两者垂直相对运动至发生接触，并达到设定的接触载荷F；其中，多点接触板的具体构成是：基底上固定有多个曲率半径为500nm～250μm的微球，多个微球的顶点处于同一平面上；(2)在设定的接触载荷F下，使多点接触板和硅(100)单晶片按照设定轨迹相对运动，使多点接触板对硅(100)单晶片进行刻划；(3)刻划完成后，使硅(100)单晶片脱离多点接触板，再将硅(100)单晶片放入质量分数为15～25％的KOH溶液中，腐蚀3～8分钟，即在硅(100)单晶片上加工出相应的织构化结构。
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