[发明专利]一种具有高调谐率的钛酸锶铅铁电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201210237825.6 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN102719793A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 王根水;李魁;董显林;雷秀云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有高调谐率的钛酸锶铅铁电薄膜及其制备方法，所述方法是在具有衬底的底电极上利用非原位射频磁控溅射的方法制备钛酸锶铅铁电薄膜，通过改变磁控溅射过程中通入的氧气和氩气的比例为0～50%以制备具有不同致密度和不同晶粒生长模式的钛酸锶铅薄膜；其中在后退火处理过程中后退火温度为400～750℃。本发明的薄膜需要较低的后退火温度便可以结晶，且具有优异的性能。本发明使得零场和施加电场的介电常数都可以通过薄膜的微结构进行调制，从而使得微波调谐率在一个更宽的范围内得以提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 调谐 钛酸锶 铅铁 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有高调谐率的钛酸锶铅铁电薄膜的制备方法，所述方法是在具有底电极的衬底上利用非原位射频磁控溅射的方法制备钛酸锶铅铁电薄膜，其特征在于，所述方法通过改变磁控溅射过程中通入的氧气和氩气的比例为0～50%以制备具有不同致密度和不同晶粒生长模式的钛酸锶铅薄膜材料；其中在后退火处理过程中后退火温度为400～750℃。
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