[发明专利]基于多层硅量子点的短波响应晶硅太阳能电池制备方法

摘要

本发明公开了基于多层硅量子点的短波响应晶硅太阳能电池制备方法，其包括如下工艺步骤：在P型晶体硅衬底上制备制绒面；进行非晶硅薄膜的沉积；利用快速热退火过程形成硅量子点；形成一层硅量子点薄膜的制备；重复上述步骤二至步骤三多次，完成多层硅量子点薄膜的制备；形成PN结并进行恒定表面浓度扩散源的推进；在P型晶体硅衬底正面淀积Si3N4减反膜；在其背面和正面分别进行正、负电的丝网印刷；进行丝印电极的退火，完成基于多层硅量子点的短波响应晶硅太阳能电池的制备。本发明的优点在于：有效地提升350-600nm短波段的量子效率，使得光电流增加，最终达到高效转换的目的。

主权项

基于多层硅量子点的短波响应晶硅太阳能电池制备方法，其特征在于：其包括如下工艺步骤：(1)，在P型晶体硅衬底上制备制绒面；(2)，利用平板等离子增强化学气相淀积，在有绒面的P型晶体硅衬底表面进行非晶硅薄膜的沉积；(3)，对沉积有非晶硅薄膜的P型晶体硅衬底，利用快速热退火过程形成硅量子点；(4)，对形成硅量子点的P型晶体硅衬底，利用平板等离子增强化学气相淀积，再进行富硅的氮化硅薄膜沉积，形成一层硅量子点薄膜的制备；(5)，重复步骤(2)至步骤(4)多次，完成多层硅量子点薄膜的制备；(6)，利用管式闭管扩散炉，对具有多层硅量子点薄膜的P型晶体硅衬底进行磷扩散，形成PN结，并在500‑1500℃温度下进行恒定表面浓度扩散源的推进；(7)，利用管式或者平板式等离子增强化学气相淀积方法在P型晶体硅衬底正面淀积Si3N4减反膜；(8)，对正面淀积有Si3N4减反膜的P型晶体硅衬底，在其背面和正面分别进行正、负电的丝网印刷；(9)，对丝网印刷后的P型晶体硅衬底，进行丝印电极的退火，完成基于多层硅量子点的短波响应晶硅太阳能电池的制备。