[发明专利]具有透明导电层的发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210238130.X | 申请日： | 2012-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN102738345A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 林科闯;蔡文必;王笃祥;戴菁甫;林仕尉;董仲伟 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透明导电层、制作方法及其有发光二极管上的应用。发光二极管包括：衬底；发光外延层，形成于所述衬底之上，依次由第一限制层、发光层、第二限制层构成；透导电层，形成于所述发光外延层之上，其特征在于：所述透明导电层包含第一氧化铟锡层和第二氧化铟锡层，其中所述第一氧化铟锡层形成于所述发光外延层上，其为不完全连续的薄膜分布状态；所述第二氧化铟锡层形成于所述第一氧化铟锡层上，其致密性优于所述第一氧化铟锡层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 透明 导电 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
具有透明导电层的发光二极管，包括：外延层，由半导体材料层堆叠而成；透明导电层，形成于所述外延层之上，其特征在于：所述透明导电层包含第一氧化铟锡层和第二氧化铟锡层，其中 所述第一氧化铟锡层形成于所述外延层上，呈不完全连续的薄膜分布状态，未分布区域与所述外延层形成电流阻挡作用； 所述第二氧化铟锡层形成于所述第一氧化铟锡层上，其致密性优于所述第一氧化铟锡层。
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