[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201210238365.9 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103545287A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 郑兆升;邱凯翎;曾志裕 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构，其包含有一第一电容与一第二电容。该第一电容包含有多个第一单元，各该第一单元包含多个第一指状电极。该第二电容包含有多个第二单元，各该第二单元包含多个第二指状电极。该等第一单元与该等第二单元交错排列形成一阵列。该半导体结构还包含有多个彼此平行的第一连接线与第二连接线，该等第一连接线电连接该等第一指状电极，且该等第一指状电极及其相邻的该等第一连接线形成一直线；该等第二连接线电连接该等第二指状电极，且该等第二指状电极及其相邻的该等第二连接线形成一直线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包含有：第一电容，设置于第一膜层，该第一电容包含有多个第一单元，各该第一单元还包含多个第一指状电极；第二电容，设置于该第一膜层，该第二电容包含有多个第二单元，该多个第二单元与该多个第一单元交错排列而形成一阵列，且各该第二单元还包含多个第二指状电极；多个第一连接线，设置于该第一膜层，该多个第一连接线电连接该多个第一指状电极，且该多个第一指状电极及其相邻的该多个第一连接线形成一直线；以及多个第二连接线，设置于该第一膜层并与该多个第一连接线平行，该多个第二连接线电连接该多个第二指状电极，且该多个第二指状电极及其相邻的该多个第二连接线形成一直线。
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