[发明专利]高压发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210238497.1 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103390582A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 陈彦玮;朱陆水 | 申请（专利权）人： | 奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种制造高压发光二极管的方法，该方法包括：根据一预定的发光亮度，计算该高压发光二极管的总面积；根据一预定的操作电压，计算出子发光二极管的数目；将该总面积扣除每一个子发光二极管间的隔离沟槽面积、电极面积与各子发光二极管之间串联导电导线面积后，除以该子发光二极管的数目，进而计算每一个子发光二极管的有效发光面积；以及根据该有效发光面积，进而调整该具有电极的子发光二极管以及该不具有电极的子发光二极管的面积，进而使该具有电极的子发光二极管大于该不具有电极的子发光二极管的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造高压发光二极管的方法，该方法包括：根据一预定的发光亮度，计算该高压发光二极管的总面积；根据一预定的操作电压，计算出子发光二极管的数目；将该总面积扣除每一个子发光二极管间的隔离沟槽面积、电极面积与各子发光二极管之间串联导电导线面积后除以该子发光二极管的数目，进而计算每一个该子发光二极管的有效发光面积；以及根据该有效发光面积，进而调整该具有电极的子发光二极管以及该不具有电极的子发光二极管的面积，进而使该具有电极的子发光二极管大于该不具有电极的子发光二极管的面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
