[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201210238596.X | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103545179A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中，半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面形成有绝缘层，绝缘层内具有贯穿其厚度的开口，开口内形成有与绝缘层表面齐平的多晶硅电极层；形成覆盖半导体衬底和多晶硅电极层表面的铝薄膜；形成覆盖铝薄膜的金属层；对形成金属层后的上述结构进行退火处理，使铝薄膜中的铝进入开口底部替代多晶硅电极层，形成位于半导体衬底表面的铝层，而多晶硅电极层中的多晶硅转移至开口顶部，并与金属层发生反应形成位于铝层表面的金属硅化物层；化学机械抛光位于所述半导体衬底表面的金属层、铝薄膜、金属硅化物层，直至暴露出所述绝缘层表面。形成的半导体器件的性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有绝缘层，所述绝缘层内具有贯穿其厚度的开口，所述开口内形成有与所述绝缘层表面齐平的多晶硅电极层；形成覆盖所述半导体衬底和多晶硅电极层表面的铝薄膜；形成覆盖所述铝薄膜的金属层；对形成金属层后的上述结构进行退火处理，使所述铝薄膜中的铝进入开口底部替代多晶硅电极层，形成位于所述半导体衬底表面的铝层，而多晶硅电极层中的多晶硅转移至开口顶部，并与金属层发生反应形成位于所述铝层表面的金属硅化物层；化学机械抛光位于所述半导体衬底表面的金属层、铝薄膜、金属硅化物层，直至暴露出所述绝缘层表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
