[发明专利]确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法有效
| 申请号： | 201210238641.1 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN102736011A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 赵妙;阎理贺;刘新宇;郑英奎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法，属于GaN基异质结构沟道量子阱中载流子驰豫物理机制技术领域。该方法根据“载流子峰值浓度—时间”平滑线散点图确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子的发光衰减时间，之后，在假定电子和空穴寿命相同的条件下，根据所述发光衰减时间确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命。该方法能够对器件的物理机制进行深入的认识和对器件可靠性进行评价。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 algan gan 基异质结 沟道 载流子 寿命 方法 | ||
【主权项】：
一种确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法，其特征在于，包括以下步骤：将0ns时刻设定为第1个时刻，从0ns开始每经过1个取样时间间隔设定1个时刻，采集时间分辨光谱，使得所述时间分辨光谱从无峰值状态到有峰值状态再到无峰值状态，形成10个时间分辨光谱图，所述时间分辨光谱图的纵坐标为所述泵浦光激发的载流子的浓度值，横坐标为波长；分别选取所述10个时间分辨光谱图中每个时间分辨光谱图的载流子浓度的峰值，所述10个时间分辨光谱图的载流子浓度的峰值对应的波长相同；以每个时间分辨光谱图的载流子浓度的峰值为纵坐标，以与每个时间分辨光谱图的峰值相对应的时间为横坐标描出“载流子峰值浓度—时间”平滑线散点图；根据所述“载流子峰值浓度—时间”平滑线散点图确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子的发光衰减时间；在电子和空穴寿命相同的条件下，根据所述发光衰减时间确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210238641.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
