[发明专利]防止晶圆翘曲变形的方法无效
| 申请号： | 201210239663.X | 申请日： | 2012-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103545169A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 苏波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止晶圆翘曲变形的方法，包括以下步骤：步骤一，在晶圆上沉积氧化层并涂布光刻胶；步骤二，对光刻胶进行曝光、显影，暴露出晶圆划片槽区域上方的氧化层；步骤三，进行离子注入，离子穿过划片槽区域上方的氧化层，注入到硅片；步骤四，去除光刻胶和氧化层；步骤五，对经过离子注入的晶圆进行高温退火工艺，使所注入的离子在划片槽内均匀分布，并修复硅的表面损伤。本发明在进行各种工艺之前对可能会发生翘曲变形的晶圆进行处理，能够有效防止后续工艺过程中晶圆发生翘曲变形，防止由于晶圆翘曲造成的产品良率下降，甚至停机、掉片的现象发生，能够降低成本，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 晶圆翘曲 变形 方法 | ||
【主权项】：
一种防止晶圆翘曲变形的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在晶圆上沉积氧化层并涂布光刻胶；步骤二，对光刻胶进行曝光、显影，暴露出晶圆划片槽区域上方的氧化层；步骤三，进行离子注入，离子穿过划片槽区域上方的氧化层，注入到硅片；步骤四，去除光刻胶和氧化层；步骤五，对经过离子注入的晶圆进行高温退火工艺，使所注入的离子在划片槽内均匀分布，并修复硅的表面损伤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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