[发明专利]一种二维碳化物的模板限制合成方法无效

专利信息
申请号: 201210239675.2 申请日: 2012-07-12
公开(公告)号: CN102815698A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 包志豪;陈珂;邢安 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C01B31/30 分类号: C01B31/30
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 张磊
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于低维纳米碳化物材料的制备领域,具体为一种二维碳化物的模板限制合成方法,该方法以石墨烯为二维结构模板,通过石墨烯与挥发性金属卤化物的气-固相反应,最终获得了自支撑的二维碳化物材料。本发明提供的方法相对于现有的碳化物薄膜制备技术,不需要基底的辅助支撑来生长碳化物,产物的形貌结构可通过调节模板的种类、大小和结构来控制。此外,该方法避免使用价格昂贵的薄膜加工仪器,制备成本相对低廉,环境友好,制备工艺简单,重复性好,在高温催化、新兴能源、光电器件、生物医药和气敏器件等领域具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 二维 碳化物 模板 限制 合成 方法
【主权项】:
一种二维碳化物的模板限制合成方法,其特征在于具体步骤如下:(1)将石墨烯和卤素单质密封于真空石英管的一端,在另一端放置金属,其中,金属:卤素单质:石墨烯的摩尔比为1:(2‑5):(0.1‑2.1);(2)将真空石英管中放置石墨烯的一端置于管式炉的恒温区,在500‑1200 ℃温度下,反应1‑48小时,真空石英管另一端置于非恒温区;(3)待反应结束并自然冷却至室温后,打开真空石英管,取出原先放置石墨烯一端的产物,用有机溶剂清洗后干燥,获得二维碳化物材料。
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