[发明专利]一种石墨烯负载片状氧化铜复合材料及其水热合成方法有效
申请号: | 201210239786.3 | 申请日: | 2012-07-12 |
公开(公告)号: | CN102765715A | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 赵兵;蒋永;刘鹏;马启亮;蔡新辉;方涛;庄华;徐为文 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C01B31/04 | 分类号: | C01B31/04;C01G3/02;B82Y40/00;B82Y30/00;H01G9/058 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 陆聪明 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种石墨烯负载片状氧化铜复合材料及其水热合成方法。其典型特征为CuO片层与石墨烯片层的片片复合,是一种准二维的纳米结构。作为基体骨架的石墨烯具有良好的导电性,氧化铜片层可以通过石墨烯片实现其良好导电性,提高了复合材料的表观电导率。生长在石墨烯两旁的片状氧化铜的宽度约为200nm,长度为300-500nm,复合石墨烯纳米片的平面尺寸在1-100μm,厚度在1-20nm。该材料制备经过两个典型步骤,一是制备热解石墨烯,二是水热合成石墨烯负载片状氧化铜复合材料。本发明方法制备的石墨烯负载片状氧化铜复合材料单电极电容高、循环性能好,适用于超级电容器电极材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 负载 片状 氧化铜 复合材料 及其 合成 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯负载片状氧化铜复合材料,其特征在于以单层石墨烯作为基体骨架,片状氧化铜在石墨烯片层两面生长,片状氧化铜的宽度为200 nm,长度为500‑600 nm,复合石墨烯纳米片的平面尺寸在1‑100 μm,厚度在1‑20 nm。
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