[发明专利]PMOS正高压电荷泵

摘要

本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种PMOS正高压电荷泵。本发明的电荷泵采用新型结构，保存原有PMOS开关电荷泵的同时，增加PMOS开关电荷泵栅极控制辅助支路，降低了传输辅助支路中PMOS开关管栅极电压，提高了传输辅助支路中PMOS管电荷导通能力，减小了电压损失，从而提高了输出电压，减小了电压上升时间，提高了电路整体电压上升阶段电压的斜率，同时很好地减小了由栅极控制辅助支路直接控制传输主支路中PMOS管栅极时存在的较大反向电流。

主权项

一种PMOS正高压电荷泵，其特征在于，包括多级串联的电荷泵电路，以及一级输出电路，所述输出电路的输入端与最后一级所述电荷泵电路的输出端连接；其中，每一级所述电荷泵电路包括一个NMOS管、三个PMOS管和一个电容器；其中，所述电容器的一端、第一PMOS管的漏极、栅极和衬底，第二PMOS管的漏极和衬底，以及第三PMOS管的栅极相连在一起，并作为本级电荷泵电路的输出端；第三PMOS管的漏极、NMOS管的漏极和第二PMOS管的栅极相连在一起；所述NMOS管的栅极与控制信号相连；所述电容器的另一端与时钟信号相连；所述NMOS管的源极、衬底接地；第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源级，以及第三PMOS管的栅极连接在一起，作为本级电荷泵电路的输入端，与输入电压或上一级电荷泵电路的输出端相连；所述输出电路为所述电荷泵电路去除电容器之后形成的电路。