[发明专利]一种倒装焊发光二极管的制造方法无效

专利信息
申请号: 201210241374.3 申请日: 2012-07-12
公开(公告)号: CN102769077A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 廖丰标;顾玲 申请(专利权)人: 江苏扬景光电有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/38
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 226600 江苏省南通市海安*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种倒装焊发光二极管的制造方法,包括如下步骤:提供一衬底,并在所述衬底上依次形成氮化镓缓冲层和氮化镓发光二极管磊晶层,其中氮化镓发光二极管磊晶层包括依次设置的n型氮化镓层、发光层和p型氮化镓层;在p型氮化镓层上形成p-电极;对未被p-电极覆盖的氮化镓发光二极管磊晶层进行干蚀刻,到达n型氮化镓层;在n型氮化镓层上形成n-电极;在p-电极、n型氮化镓层和n-电极上形成绝缘层,使得该绝缘层覆盖p-电极和n-电极;干蚀刻平坦化的绝缘层,露出p-电极和n-电极,但不及于半导体;将p-电极和n-电极焊接在安装台上。本发明能有效增加氮化物倒装焊接合LED的出光量与发光效率。
搜索关键词: 一种 倒装 发光二极管 制造 方法
【主权项】:
一种倒装焊发光二极管的制造方法,包括如下步骤:(1)提供一衬底,并在所述衬底上依次形成氮化镓缓冲层和氮化镓发光二极管磊晶层,其中氮化镓发光二极管磊晶层包括依次设置的n型氮化镓层、发光层和p型氮化镓层;(2)在p型氮化镓层上形成p‑电极;(3)对未被p‑电极覆盖的氮化镓发光二极管磊晶层进行干蚀刻,到达n型氮化镓层;(4)在n型氮化镓层上形成n‑电极;(5)在p‑电极、n型氮化镓层和n‑电极上形成绝缘层,使得该绝缘层覆盖p‑电极和n‑电极;(6)干蚀刻绝缘层,露出p‑电极和n‑电极,但不及于半导体;(7)将p‑电极和n‑电极焊接在安装台上。
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