[发明专利]半导体检测结构及检测方法有效
| 申请号： | 201210241516.6 | 申请日： | 2012-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103545294A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体检测结构及检测方法，所述检测结构包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底内的N型掺杂区和P型掺杂区，所述N型掺杂区和P型掺杂区之间具有耗尽区；位于所述半导体衬底表面的层间介质层，位于所述层间介质层内且电学隔离的待检测互连结构和辅助互连结构，所述待检测互连结构与所述P型掺杂区电学连接，所述辅助互连结构与所述N型掺杂区电学连接，所述待检测互连结构和辅助互连结构都至少包括两层层间金属层和位于相邻层间金属层之间的导电插塞，且所述待检测互连结构和辅助互连结构的层间金属层的层数相同。通过检测出不同层的层间金属层的电阻，就能判断待检测互连结构是否因为光致电化学腐蚀存在缺陷，简单方便。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 检测 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体检测结构，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底内的N型掺杂区和P型掺杂区，所述N型掺杂区和P型掺杂区之间具有耗尽区；位于所述半导体衬底表面的层间介质层，位于所述层间介质层内且电学隔离的待检测互连结构和辅助互连结构，所述待检测互连结构与所述P型掺杂区电学连接，所述辅助互连结构与所述N型掺杂区电学连接，所述待检测互连结构和辅助互连结构都至少包括两层层间金属层和位于相邻层间金属层之间的导电插塞，且所述待检测互连结构和辅助互连结构的层间金属层的层数相同。
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