[发明专利]CMOS晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201210241827.2 | 申请日： | 2012-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103545257A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李凤莲;倪景华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种CMOS晶体管的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底包括与NMOS晶体管对应的第一区域和PMOS晶体管对应的第二区域；在所述第一区域上表面形成第一栅极结构，且在所述第二区域上表面形成第二栅极结构；在所述第一栅极结构、第二栅极结构和衬底上表面形成拉伸应力层；在第二区域对应的拉伸应力层中进行离子注入；进行退火处理；刻蚀所述拉伸应力层，刻蚀后的拉伸应力层作为第一栅极结构的侧墙和第二栅极结构的侧墙。本发明工艺简单，成本低，且可以提高NMOS晶体管的电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括与NMOS晶体管对应的第一区域和PMOS晶体管对应的第二区域；在所述第一区域上表面形成第一栅极结构，且在所述第二区域上表面形成第二栅极结构；在所述第一栅极结构、第二栅极结构和衬底上表面形成拉伸应力层；在第二区域对应的拉伸应力层中进行离子注入；进行退火处理；刻蚀所述拉伸应力层，刻蚀后的拉伸应力层作为第一栅极结构的侧墙和第二栅极结构的侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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