[发明专利]一种具有沟槽终端结构肖特基器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201210242399.5 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103531617A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/872;H01L21/28;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有沟槽终端结构肖特基器件，本发明的半导体器件具有沟槽结构的终端，从而改变器件边缘电势的分布，同时简化了器件的制造流程，使用两次光刻工艺，可以实现器件的生产制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 沟槽 终端 结构 肖特基 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有沟槽终端结构肖特基器件，其特征在于：包括：衬底层，为第一传导类型半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；一个或多个沟槽，位于器件边缘漂移层中，沟槽内壁表面有绝缘材料；主结肖特基势垒结，位于器件中心漂移层表面；副结肖特基势垒结，位于多个沟槽之间的漂移层表面。
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