[发明专利]一种应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底片上制备埋层，生长N型Si外延，制备深槽隔离，在双极器件区域制造常规的Si双极晶体管；在600～800℃，在衬底上生长应变SiGe材料，光刻MOS器件有源区，利用离子注入工艺对MOS器件区域进行阈值调整，然后在MOS器件有源区淀积SiO2和多晶硅，通过刻蚀制备伪栅，应用自对准工艺分别自对准生成MOS器件的源漏区，再在衬底表面生长SiO2层，去除伪栅，在伪栅处压印槽中制备氧化镧（La2O3）材料形成栅介质和金属钨（W）形成栅极，最后在钝化层上刻蚀漏、源、栅的引线孔、金属化、溅射金属、光刻引线，构成应变SiGe BiCMOS集成器件及电路。

主权项

一种应变SiGe BiCMOS集成器件，其特征在于，所述应变SiGe、Si BJT器件平面BiCMOS集成器件采用普通Si双极晶体管，应变SiGe平面沟道NMOS器件和应变SiGe平面沟道PMOS器件。