[发明专利]金属栅极、其形成方法及CMOS晶体管有效
| 申请号： | 201210243490.9 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN103545184B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;平延磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属栅极、其形成方法及CMOS晶体管，采用氮气处理栅极金属层，形成一氮化物薄膜，从而使得金属铝和掩膜层间的粘附性大大增加，避免了peeling现象的发生，从而提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 形成 方法 cmos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括栅极介电层及形成于所述栅极介电层上的牺牲多晶硅栅极；将所述牺牲多晶硅栅极替换成栅极金属层，所述栅极金属层的材料为铝；对所述栅极金属层进行氮气处理，形成一氮化物薄膜，提高栅极金属层与后续掩膜层的粘附性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210243490.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种波峰焊机故障诊断系统
- 下一篇：一种电力系统多功能多通道通信测控集成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
