[发明专利]一种应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底上生长N型Si外延层作为双极器件集电区，制备深槽隔离，然后依次制备基极多晶、基区、发射区以及集电极，形成SiGe HBT器件；在衬底NMOS器件有源区生长五层材料，制备漏极、栅极和源区，完成NMOS器件制备；在PMOS器件有源区生长三层材料，制备虚栅极，利用自对准工艺注入形成PMOS器件源、漏；刻蚀虚栅，完成PMOS器件制备，形成应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及电路；本发明在制备过程中，采用全自对准工艺，有效地减小了寄生电阻与电容，提高了器件的电流与频率特性，而且SiGe HBT发射极、基极和集电极全部采用多晶，减小了器件有源区的面积以及器件尺寸，提高了电路的集成度。

主权项

一种应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件，其特征在于，所述应变SiGe回型沟道Si基BiCMOS集成器件采用SOI三多晶SiGe HBT器件，应变SiGe垂直沟道NMOS器件和应变SiGe平面沟道PMOS器件。