[发明专利]一种应变Si/应变SiGe-HBT BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种应变Si应变SiGe-HBT器件BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在衬底上生长N型Si外延层作为双极器件集电区，制备深槽隔离，然后依次制备基极多晶、基区、发射区以及集电极，形成SiGe HBT器件；制备PMOS器件有源区，在PMOS器件有源区上制备漏极和栅极，形成垂直沟道PMOS器件；制备NMOS器件有源区，在NMOS器件有源区制备栅介质层和栅多晶，形成NMOS器件；光刻引线，构成应变Si、应变SiGe HBT器件BiCMOS集成器件及电路；本发明SiGe HBT的发射极、基极和集电极都采用多晶硅接触，其制备过程采用自对准工艺，并为全平面结构，在MOS器件制备中充分利用了应变Si材料迁移率各向异性的特点，制备出了性能增强的应变Si、应变SiGe HBT器件BiCMOS集成电路。

主权项

一种应变Si应变SiGe HBT器件BiCMOS集成器件，其特征在于，所述应变Si、应变SiGe HBT BiCMOS集成器件采用三多晶SiGe HBT，应变Si平面沟道NMOS器件和应变Si垂直沟道PMOS器件。